| 发明名称 | 一种超宽带矢量调制芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种超宽带矢量调制芯片，包括功分器、合成器，及两个衰减器，功分器输入端为该超宽带矢量调制芯片输入端，合成器输出端为该超宽带矢量调制芯片输出端，功分器输出端与两个衰减器输入端相连接，两个衰减器输出端与合成器输入端相连接；功分器该采用威尔金森结构，该合成器采用兰格桥结构；衰减器包括衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管，该衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管之间设置有衰减器电阻。该超宽带矢量调制芯片工作频率覆盖十四吉赫至二十四吉赫，很大程度上拓宽了其使用带宽。 | ||
| 申请公布号 | CN203951449U | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201420355241.3 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 发明人 | 陈阳;童伟;胡柳林;吕继平;康婕;文剑澜;欧阳耀果;滑育楠;杨洲 |
| 分类号 | H03H7/21(2006.01)I | 主分类号 | H03H7/21(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种超宽带矢量调制芯片，其特征在于：包括功分器（1）、合成器（3）及两个衰减器（2），所述功分器（1）输入端为超宽带矢量调制芯片输入端，合成器（3）输出端为所述超宽带矢量调制芯片输出端，功分器（1）输出端与两个所述衰减器（2）输入端相连接，两个衰减器（2）输出端与合成器（3）输入端相连接；所述功分器（1）采用威尔金森结构，所述合成器（3）采用兰格桥结构；所述衰减器（2）包括衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4），所述衰减器兰格桥（6）和赝高电子迁移率晶体管（4）之间设置有衰减器电阻（5）。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园 | ||