スピン移行トルクスイッチングデバイスのための熱的耐性のある垂直磁気異方性結合素子

摘要

垂直磁気異方性（ＰＭＡ）タイプの磁気ランダムアクセスメモリセルが、許容可能な熱障壁を伴う磁気トンネル接合（ＭＴＪ）をもたらすために、複合ＰＭＡ層によって構築される。ＰＭＡ結合層は、第１のＰＭＡ層と第２のＰＭＡ層の間に堆積され、複合ＰＭＡ層を形成する。複合ＰＭＡ層は、ＰＭＡタイプのＭＲＡＭセルまたは面内タイプのＭＲＡＭセルに組み込まれ得る。