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经营范围
发明名称
离子源;AN ION SOURCE
摘要
在一实施例中,一离子源包括一弧形腔室以及一发射器,发射器具有一配置于弧形腔室内的表面,其中发射器用以产生一电浆于弧形腔室内。离子源更包括一反射极以及一中空阴极,其中反射极具有一位于发射器表面对面的反射极表面,中空阴极耦合至反射极且用以提供一进料至弧形腔室内。
申请公布号
TW201443965
申请公布日期
2014.11.16
申请号
TW103108280
申请日期
2014.03.11
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
巴森 奈尔
分类号
H01J37/08(2006.01);H01J37/317(2006.01)
主分类号
H01J37/08(2006.01)
代理机构
代理人
<name>叶璟宗</name><name>郑婷文</name><name>詹富闵</name>
主权项
地址
美国
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