| 发明名称 |
β－Ｇａ２Ｏ３系单晶的成长方法 |
| 摘要 |
本发明的问题在于提供一种β-Ga2O3系单晶的成长方法，其可使结晶构造的偏差较小的高品质β-Ga2O3系单晶朝b轴方向成长。为了解决此问题，于一实施形态中，提供一种β-Ga2O3系单晶的成长方法，其包括：使用晶种，并使添加有Sn之平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向成长之步骤。 |
| 申请公布号 |
TW201443301 |
申请公布日期 |
2014.11.16 |
| 申请号 |
TW103112566 |
申请日期 |
2014.04.03 |
| 申请人 |
田村制作所股份有限公司 |
发明人 |
渡边信也;饭塚和幸;土井冈庆;松原春香;增井建和 |
| 分类号 |
C30B29/16(2006.01);C30B15/04(2006.01);C30B15/34(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/16(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
