发明名称 | 半导体装置及其制作方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF | ||
摘要 | 一种半导体装置,包括基板、第一鳍状结构、电接触结构以及闸极结构,其中第一鳍状结构包括沿着第一方向延伸之水平鳍状结构,以及沿着第二方向延伸之垂直鳍状结构。基板上定义有一第一区域以及一第二区域。水平鳍状结构的部份区段以及垂直鳍状结构系被设置于第一区域内,且电接触结构直接覆盖第一区域内的水平鳍状结构以及垂直鳍状结构。闸极结构部份重叠于第二区域内的水平鳍状结构。 | ||
申请公布号 | TW201444086 | 申请公布日期 | 2014.11.16 |
申请号 | TW102117265 | 申请日期 | 2013.05.15 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪世芳;曹博昭 |
分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |