具有在沟槽中之捕获电荷层的非依电性记忆体胞元及其阵列与制作方法;A NON-VOLATILE MEMORY CELL HAVING A TRAPPING CHARGE LAYER IN A TRENCH AND AN ARRAY AND A METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

摘要

一记忆体胞元藉由在一基体之表面中形成一沟槽来形成。隔开的第一及第二区域形成于基体中,且有一通道区域在此二区域间。该第一区域系形成于该沟槽下方。该通道区域包括沿着该沟槽之一侧壁延伸的一第一部分及沿着该基体之表面延伸的一第二部分。沟槽中的一电荷捕获层系邻近于该通道区域之该第一部分且与其绝缘,用以控制该通道区域第一部分的传导。沟槽中的一电气传导闸极系邻近于且与该电荷捕获层及与该第一区域绝缘,并电容式耦合至该电荷捕获层。一电气传导控制闸极系设置于该通道区域之该第二部分上方且与其绝缘,用以控制其传导。