具有虚拟闸极及闸极的半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUMMY GATE AND GATE

摘要

一鳍片形主动区系被界定于一基材上。横越鳍片形主动区之第一及第二闸极电极系受配置。一虚拟闸极电极系形成于第一及第二闸极电极之间。一第一汲极区形成于该第一闸极电极与该虚拟闸极电极之间。一第二汲极区形成于该虚拟闸极电极与该第二闸极电极之间。面对第二汲极区之一源极区系受形成。形成一第一汲极插塞,其相对地靠近虚拟闸极电极、相对地远离该第二闸极电极、且连接至该第二汲极区。该第二闸极电极系配置于该第二汲极区与该源极区之间。该等第一及第二闸极电极的各者系覆盖该鳍片形主动区的一侧表面。