半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

摘要

本发明之半导体装置包括:半导体基板,其具有第1面;主体区域,其位于半导体基板,且位于与第1面接触之位置;闸极绝缘膜,其与主体区域接触地位于第1面上;闸极电极,其位于闸极绝缘膜上;第1绝缘体膜,其覆盖闸极电极之侧面之至少一部分;接触区域,其与第1面接触地位于主体区域内、且在相对于第1面之俯视下与闸极电极不同之位置;及第2绝缘体膜,其包含与第1绝缘体膜之材料不同之材料,位于主体区域、闸极电极及第1绝缘体膜上,且于接触区域上具有接触孔。