晶种层之形成方法、矽膜之成膜方法及成膜装置;METHOD OF FORMING SEED LAYER, METHOD OF FORMING SILICON FILM, AND FILM FORMING APPARATUS

摘要

本发明之目的在于提供一种晶种层之形成方法,系在基底层上,形成作为薄膜之晶种的晶种层,包含:(1)将该基底层加热,对该加热的基底层表面供给胺基矽烷系气体,以在该基底层表面上形成第1晶种层的步骤;及(2)将该基底层加热,对该加热的基底层表面供给二矽烷以上的高次矽烷系气体,以在形成有该第1晶种层的该基底层表面上,形成第2晶种层的步骤;该步骤(1)中的处理温度,系400℃以下,且可使该胺基矽烷系气体所包含的至少矽吸附于该基底层表面上之温度以上;该步骤(2)中的处理温度,系400℃以下,且可使该二矽烷以上的高次矽烷系气体所包含的至少矽,吸附于形成有该第1晶种层的该基底层表面上的温度以上。