| 摘要 |
산화물 반도체를 이용한 반도체 장치에 안정된 전기적 특성을 부여하여, 고신뢰성화하는 것을 목적의 하나로 한다. 제 1 절연막을 형성하고, 제 1 절연막상에, 소스 전극 및 드레인 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 접속하는 산화물 반도체막을 형성하고, 산화물 반도체막에 열처리를 실시하여 산화물 반도체막중의 수소 원자를 제거하고, 수소 원자가 제거된 산화물 반도체막에 산소 도핑 처리를 실시하여, 산화물 반도체막중에 산소 원자를 공급하고, 산소 원자가 공급된 산화물 반도체막상에 제 2 절연막을 형성하고, 제 2 절연막상의 산화물 반도체막과 중첩하는 영역에 게이트 전극을 형성하는 반도체 장치의 제작 방법이다. |
