Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrats und Siliziumsubstrat

摘要

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrats bereitgestellt, umfassend: Durchführen einer schnellen Hitzebehandlung an einem Siliziumsubstrat mit einer Schnellaufheiz- und Schnellabkühlapparatur durch Halten des Siliziumsubstrats bei einer Temperatur, die höher als 1300°C und nicht größer als ein Siliziumschmelzpunkt ist, für 1 bis 60 Sekunden, wobei das Siliziumsubstrat von einem durch das Czochralski-Verfahren gezüchteten Siliziumeinkristall-Ingot geschnitten wird; Durchführen eines ersten Temperaturabsenkungsprozesses bis auf eine Temperatur in dem Bereich von 600 bis 800°C bei einer Temperaturabsenkungsrate von 5 bis 150°C/sek; und Durchführen eines zweiten Temperaturabsenkungsprozesses auf so eine Weise, dass eine Kühlzeit von X Sekunden und eine Temperaturabsenkungsrate von Y°C/sek Y ≤ 0,15 X – 4,5 wenn X < 100 erfüllt und Y ≤ 10 wenn X ≥ 100 erfüllt. Als ein Ergebnis sind das Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrats ohne RIE-Defekte in einer Oberflächenschicht und mit einer ausreichend langen Nutzungsdauer und das Siliziumsubstrat bereitgestellt.