发明名称 |
Verfahren zur Erzeugung eines Initialisierungssignals |
摘要 |
<p>Verfahren zur Erzeugung eines Initialisierungssignals zur Initialisierung innerer Schaltkreise in einem Halbleiterspeicherbauelement während eines Anschaltvorgangs des Halbleiterspeicherbauelements, mit folgenden Schritten:–Empfangen eines Vorladebefehls zum Vorladen des Halbleiterspeicherbauelements und/oder–Erzeugen eines Vorinitialisierungssignals durch einen Initialisierungsschaltkreis und Empfangen eines Modussetzbefehls zum Festlegen eines Betriebsmodus des Halbleiterspeicherbauelements und–Erzeugen eines automatischen Einzelimpulses als Initialisierungssignal in Reaktion auf den empfangenen Vorladebefehl und/oder in Reaktion auf das Vorinitialisierungssignal und den Modussetzbefehl.</p> |
申请公布号 |
DE10232859(B4) |
申请公布日期 |
2014.11.13 |
申请号 |
DE2002132859 |
申请日期 |
2002.07.17 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
BAE, IL-MAN;KIM, JAE-HOON;LEE, JAE-HYEONG |
分类号 |
G11C7/20;G11C11/401;G11C11/4072 |
主分类号 |
G11C7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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