发明名称 Verfahren zur Erzeugung eines Initialisierungssignals
摘要 <p>Verfahren zur Erzeugung eines Initialisierungssignals zur Initialisierung innerer Schaltkreise in einem Halbleiterspeicherbauelement während eines Anschaltvorgangs des Halbleiterspeicherbauelements, mit folgenden Schritten:–Empfangen eines Vorladebefehls zum Vorladen des Halbleiterspeicherbauelements und/oder–Erzeugen eines Vorinitialisierungssignals durch einen Initialisierungsschaltkreis und Empfangen eines Modussetzbefehls zum Festlegen eines Betriebsmodus des Halbleiterspeicherbauelements und–Erzeugen eines automatischen Einzelimpulses als Initialisierungssignal in Reaktion auf den empfangenen Vorladebefehl und/oder in Reaktion auf das Vorinitialisierungssignal und den Modussetzbefehl.</p>
申请公布号 DE10232859(B4) 申请公布日期 2014.11.13
申请号 DE2002132859 申请日期 2002.07.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 BAE, IL-MAN;KIM, JAE-HOON;LEE, JAE-HYEONG
分类号 G11C7/20;G11C11/401;G11C11/4072 主分类号 G11C7/20
代理机构 代理人
主权项
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