碳化硅绝缘栅型半导体器件及其制造方法

摘要

所公开的碳化硅绝缘栅型半导体元件(100)的终端构造提供有：第一导电类型的半导体层(132)，其具有第一主面(137)；栅电极(142)；以及源布线(101)。其中在半导体层(132)内提供第二导电类型的主体区(133)、第一导电类型的源区(134)、第二导电类型的接触区(135)和外围RESURF区(105)以及。外围RESURF区(105)的不含主体区(133)的部分具有至少1/2半导体层(132)的厚度的宽度。由此，可以提供高电压、高性能的碳化硅绝缘栅型半导体器件(100)。

主权项

一种碳化硅绝缘栅型半导体器件(100)，包括：支撑衬底(131)；第一导电类型的半导体层(132)，所述半导体层(132)形成在所述支撑衬底上并且具有第一主面(137)，所述第一主面(137)与接触所述支撑衬底的面的一侧相反；以及电极(142)和互连(101)，所述电极(142)和所述互连(101)形成在所述主面上，所述半导体层包括有源区(108)和外围RESURF区(105)，所述有源区(108)形成为包括所述第一主面，所述外围RESRUF区(105)形成为带形以便环绕所述有源区的外围并且包括所述第一主面，所述有源区具有被从平面视角来看构成多边形的虚拟边界线环绕的多个基本单元，所述多个基本单元被布置成没有间隙以便在所述边界线处形成接触，所述多个基本单元中的每个在所述主面上包括第二导电类型的主体区(133)，所述主体区(133)构成所述多边形的相似形，所述第二导电类型的所述外围RESURF区被形成为包括所述多个基本单元之中的构成所述有源区的最外围的基本单元中的所述主体区，以及所述外围RESURF区的不含所述主体区的部分的宽度大于或等于至少所述半导体层的厚度的1/2。