| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：一硅衬底；一初始缓冲层，布置在硅衬底上并包括氮化铝(AlN)，以及一器件层，布置在初始缓冲层上并包括一半导体化合物，其中，在初始缓冲层和硅衬底之间不存在SiN，并且硅衬底的硅晶格直接接触初始缓冲层的晶格。 | ||
| 申请公布号 | CN104143567A | 申请公布日期 | 2014.11.12 |
| 申请号 | CN201410195598.4 | 申请日期 | 2014.05.09 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 张正训 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;李玉锁 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：硅衬底；初始缓冲层，布置在所述硅衬底上并包括氮化铝AlN；以及器件层，布置在所述初始缓冲层上并包括半导体化合物，其中，在所述初始缓冲层和所述硅衬底之间不存在SiN，并且所述硅衬底的硅晶格直接接触所述初始缓冲层的晶格。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||