一种导电插塞和TSV的形成方法

摘要

本发明提供一种导电插塞和TSV形成方法。所述导电插塞形成方法包括：在半导体基底上形成盲孔，在向所述盲孔中以及在半导体基底上方形成金属层后，先去除所述半导体基底上方部分或全部厚度的所述金属层，之后再采用退火工艺对所述基底进行加热处理，实现所述金属层内晶粒的细化、再生长和均匀化，以优化所述金属层内部结构。其中，在去除所述半导体基底上方部分或全部厚度的所述金属层后，可有效减少退火过程中基于金属层形变而产生的应力的同时，充分释放半导体基底以及半导体基底上的各层结构基于热胀冷缩出现的体积形变而产生的应力，减少基底和各层结构间的作用力，避免在半导体基底以及半导体基底中各层结构的连接面上出现开裂。

主权项

一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；刻蚀所述半导体基底，在所述半导体基底内形成盲孔；在所述盲孔的底部和侧壁以及半导体基底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成金属层，所述金属层填充满所述盲孔；去除所述半导体基底上方部分厚度或全部厚度的所述金属层；进行退火工艺后，再进行去除工艺使所述半导体基底表面完全暴露，形成导电插塞。