发明名称 |
MEMS 压力传感器和半导体结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种MEMS压力传感器和半导体结构,包含衬底结构、氧化物层、下电极、上电极和空腔,在所述MEMS压力传感器中,所述上电极为包含第一薄膜层TiN膜、第二薄膜层W膜、第三薄膜层Mo膜的多层薄膜结构,大大增大了上电极和下电极的粘附力,使得所述MEMS压力传感器在使用过程中,上电极和下电极的接触面不会发生剥离,进而改善了所述MEMS压力传感器的性能。 |
申请公布号 |
CN203940938U |
申请公布日期 |
2014.11.12 |
申请号 |
CN201420348337.7 |
申请日期 |
2014.06.26 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
伏广才;张先明 |
分类号 |
G01L1/14(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种MEMS压力传感器,所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上,其特征在于,所述MEMS压力传感器至少包含:下电极,位于所述衬底结构表面;氧化物层,覆盖于所述衬底结构和所述下电极表面;上电极,位于所述氧化物层的上表面;所述上电极为多层薄膜结构,包含第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层,所述第一薄膜层位于所述氧化物层上,所述第二薄膜层位于所述第一薄膜层上,所述第三薄膜层位于所述第二薄膜层上;其中,所述第一薄膜层为TiN膜,第二薄膜层为W膜,第三薄膜层为Mo膜;空腔,位于所述上电极和氧化物层之间,且位于所述下电极的上方。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |