发明名称 |
半导体装置及卷带式承载型半导体装置之制造方法 |
摘要 |
本发明之半导体装置包含:卷带基材;配线图案;与配线图案电性连接之半导体元件;覆盖卷带基材之表面,且于与半导体元件之对向区域具有表面侧开口部之表面侧绝缘保护膜;及覆盖卷带基材之背面,且于成为表面侧开口部之背侧之部分具有背面侧开口部之背面侧绝缘保护膜。表面侧绝缘保护膜具有较上述对向区域更突出至外侧之突出开口部。背面侧开口部具有卷带基材之表面之与半导体元件之对向区域的1.00~8.50倍之大小。 |
申请公布号 |
TWI460797 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
申请号 |
TW101105898 |
申请日期 |
2012.02.22 |
申请人 |
夏普股份有限公司 日本 |
发明人 |
岩根知彦 |
分类号 |
H01L21/56;H01L23/48;H01L23/50 |
主分类号 |
H01L21/56 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于:其系卷带式承载型半导体装置,其系在与形成于卷带基材之表面之配线图案电性连接之状态下将半导体元件安装于该卷带基材之表面者;其包含:覆盖上述卷带基材之表面之表面侧绝缘保护膜、及覆盖上述卷带基材之背面之背面侧绝缘保护膜;且于上述表面侧绝缘保护膜上,设置有上述卷带基材之表面上之与上述半导体元件之对向区域之至少一部分之区域为开口之表面侧开口部,且进而设置有突出至相较于与上述半导体元件之对向区域更外侧之突出开口部;于上述背面侧绝缘保护膜上,设置有成为上述表面侧开口部之背侧之部分为开口之背面侧开口部;上述背面侧开口部具有比上述卷带基材之表面之上述对向区域之大小的1.00倍更大且为其8.50倍以下之大小而开口;上述半导体元件与上述对向区域之间由填充剂予以填充。 |
地址 |
日本 |