半导体装置及制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：一闸极电极，其布置于一半导体基板上；以及源极/汲极区域，其布置于该闸极电极之两侧，该等源极/汲极区域系由植入杂质形成。该等源极/汲极区域包括一磊晶层，其藉由于该闸极电极之一侧之一凹陷位置中磊晶成长具有与半导体基板不同之晶格常数的一半导体材料而形成，以及一扩散层，其布置于该半导体基板之一表面层中。

主权项

一种半导体装置，其包含：一闸极电极，其布置于一半导体基板上；以及源极/汲极区域，其布置于该闸极电极之两侧，该等源极/汲极区域系由植入杂质形成，其中该等源极/汲极区域包括一磊晶层，其藉由于该闸极电极之一侧及/或另一侧之一凹陷位置中磊晶成长具有与该半导体基板不同之晶格常数的一半导体材料而形成，以及一扩散层，其布置于该半导体基板之一表面层中；该扩散层相对该闸极电极系布置于该磊晶层外侧，且该扩散层之深度系较该磊晶层之深度为深。