发光元件之制法及发光元件

摘要

一种制造发光元件(1)的方法。给定在远场的一个发光特性。从给定的发光特性求出发光元件(1)在与发光元件之主要辐射方向垂直的方向上的折射率分布。揭示一种发光元件的结构，使发光元件具有先前定义之折射率分布。根据先前设计的结构制造发光元件(1)。;此外本发明还提出一种发光元件。

主权项

一种制造发光元件(1)的方法，其中发光元件(1)具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，该方法具有以下的步骤：a)给定在远场的发光特性，其均匀性大于高斯型发光特性的均匀性；b)从该给定的发光特性求出发光元件(1)在与发光元件(1)之主要发光方向垂直的方向上的折射率分布其中从给定的在远场的发光特性利用傅利叶转换求出所属的近场，且透过以下的比例关系求出折射率分布：n~[(neff2k2EN(z)-EN"(z))/(k2EN(z))]1/2其中z轴垂直于发光元件的主要发光方向，EN(z)代表近场的电磁场，E”N(z)代表近场EN的电磁场的二次微分，k代表电磁辐射的波向量，及neff代表有效折射率；c)设计发光元件(1)的结构，使发光元件(1)具有先前求出之折射率分布，其中所求出之折射指数率分布可以被换算为半导体本体之半导体层序列的材料成分的分布；d)根据先前求出的结构制造发光元件(1)，其系在半导体本体(2)上沉积出半导体层序列，且该半导体层序列具有产生辐射的作用区(21)，并利用适当的材料成分沿着半导体本体(2)之半导体层序列的沉积方向形成折射率分布。