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经营范围
发明名称
射频吸收器
摘要
本发明示范性实施例包含射频吸收器,其可操作以吸收电磁能、消散电磁讯号、及/或减弱电磁讯号。根据本发明某些方面,射频吸收器实质为平的,且包含一吸收表面。吸收表面可操作以吸收电磁能、消散电磁讯号、及/或减弱电磁讯号。于本发明示范性实施例,射频吸收器包含复数个孔洞于射频吸收器中。根据本发明各种实施例,射频吸收器用以降低积体电路装置中之腔穴振荡及/或腔穴模态与共振,积体电路装置例如供容纳单石微波积体电路之装置。
申请公布号
TWI460917
申请公布日期
2014.11.11
申请号
TW097115642
申请日期
2008.04.29
申请人
凡尔赛特公司 美国
发明人
查尔斯E 温斯
分类号
H01P1/20
主分类号
H01P1/20
代理机构
代理人
李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项
一种积体电路装置,供容纳一积体电路,包含:一主动表面,包含该积体电路;一装置盖,用以产生一装置腔穴,该装置腔穴包含由该主动表面界定之一空间以及相对于该主动表面之一盖表面,其中该盖表面与该主动表面相距一腔穴分隔距离;以及一吸收器,邻近该盖表面,其中该吸收器具有一吸收器厚度,且其中该吸收器包含:一附接表面,邻近该盖表面;一吸收表面,相对于该附接表面且与该附接表面相距一吸收器表面距离;一孔洞,于该吸收器中,其中该孔洞具有一孔深与一孔截面宽度;以及其中该吸收器主要具有电阻性且用以吸收电磁讯号。
地址
美国
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