切割－晶粒黏合一体型膜、切割－晶粒黏合一体型膜的制造方法以及半导体晶片的制造方法

摘要

本发明的目的在于在半导体晶圆的切割步骤中抑制接着剂层的周缘部自黏着剂层上剥落。本发明的切割-晶粒黏合一体型膜包括基材膜、感压型黏着剂层及接着剂层，感压型黏着剂层形成于基材膜上，且贴附有用于刀片切割的晶圆环，接着剂层形成于黏着剂层上，且具有贴附有作为刀片切割对象之半导体晶圆的部，且接着剂层的平面形状成为圆形，接着剂层的面积成为大于半导体晶圆的面积且小于基材膜及黏着剂层的各面积，接着剂层的直径成为大于半导体晶圆的直径且小于晶圆环的内径，且接着剂层的直径与半导体晶圆的直径的差为大于20mm且小于35mm。

主权项

一种切割-晶粒黏合一体型膜，其特征在于，包括：基材膜；感压型黏着剂层，形成于上述基材膜上，且贴附有用于刀片切割的晶圆环；以及接着剂层，形成于上述黏着剂层上，且具有贴附有作为刀片切割对象的半导体晶圆的中央部，其中上述接着剂层的平面形状成为圆形，上述接着剂层的面积成为大于上述半导体晶圆的面积且小于上述基材膜及上述黏着剂层的各面积，上述接着剂层的直径成为大于上述半导体晶圆的直径且小于上述晶圆环的内径，且上述接着剂层的直径与上述半导体晶圆的直径的差成为大于20mm且小于35mm。