半导体积体电路及其制造方法

摘要

可达成高的制造良品率之同时，可补偿CMOS．SRAM之MOS电晶体之临限值电压之变动。;于SRAM之资讯保持动作、写入动作与读出动作之其中任一主动模态中，基板偏压Vbp、Vbn被施加于SRAM记忆格之MOS电晶体之基板(晶圆)。首先，SRAM之PMOS与NMOS之电晶体之临限值电压被测定。依据测定结果，控制记忆体Cnt_MM1、Cnt_MM2之控制资讯Cnt_Sg1、Cnt_Sg2被写入。藉由该写入，使基板偏压Vbp、Vbn之位准被调整，CMOS．SRAM之MOS电晶体之临限值电压之变动被控制于特定误差范围内。相对于MOS电晶体之源极被施加的动作电压，于MOS电晶体之基板被施加逆偏压或极浅顺偏压的基板偏压。

主权项

一种半导体积体电路，其特征为：于晶片内部含有CMOS内藏SRAM，上述CMOS内藏SRAM之记忆格，系含有：一对驱动NMOS，一对负荷PMOS，及一对传送NMOS，含有内藏SRAM用控制开关，至少于资讯保持动作、写入动作与读出动作之其中任一主动模态中，对上述CMOS内藏SRAM之多数PMOS之N阱与多数NMOS之P阱，分别供给PMOS基板偏压与NMOS基板偏压，另外含有内藏SRAM用控制记忆体，其储存内藏SRAM用控制资讯，用于表示：是否由上述内藏SRAM用控制开关对上述CMOS内藏SRAM之上述多数PMOS之上述N阱与上述多数NMOS之上述P阱，分别供给上述PMOS基板偏压与上述NMOS基板偏压。