发明名称 电子元件及其制造方法
摘要 一种电子元件,其包括提供于基板上且包括钼铌合金的第一电极、配置于第一电极上的绝缘膜及配置于第一电极上的第二电极,其中至少此绝缘膜插入于第一电极与第二电极之间。并且,提供一种电子元件的制造方法。
申请公布号 TWI460856 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW099121671 申请日期 2010.07.01
申请人 富士软片股份有限公司 日本 发明人 油屋吉宏;八重樫裕之
分类号 H01L29/49;H01L21/28;H01L29/40 主分类号 H01L29/49
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种电子装置,包括:一第一电极,提供于一基板上且包括一钼铌合金,其中该第一电极的边缘横切面的倾斜角度为小于50°且表面粗糙度Ra小于等于0.6nm;一绝缘膜,配置于该第一电极上;以及一第二电极,相对于该第一电极至少隔着该绝缘膜进行配置。
地址 日本