一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法。所述制作方法为：低温GaN层在基板上部生长；在低温GaN层上生长高温GaN层；把已经生长了高温GaN层的基板泡在蚀刻溶液中；低温GaN层经蚀刻后消融，则高温GaN层从基板上自然分离，即得GaN基板。本发明是在低温下利用HVPE的方法生长GaN后，高温下GaN厚膜生长完成后做化学蚀刻，再加上利用蚀刻反应形成低温GaN层的界面空隙，由GaN自发分离制作自支撑GaN基板。本发明利用化学的反应，最小化对GaN厚膜的损坏，工艺简单，节约资源，降低生产成本。

主权项

一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：低温GaN层(2)在基板(1)上部生长；步骤2)：在低温GaN层(2)上生长高温GaN层(3)；步骤3)：把已经生长了高温GaN层(3)的基板(1)泡在蚀刻溶液中；步骤4)：低温GaN层(2)经蚀刻后消融，则高温GaN层(2)从基板(1)上自然分离，即得GaN基板。