一种STT-MRAM存储单元

摘要

本发明公开了一种STT-MRAM存储单元，将STT-MRAM存储单元的晶体管设计为具有独立双栅的FinFET形式，Fin两侧的二个栅极分别与Fin的源、漏区构成一个MOS器件，二个MOS器件共享源、漏区，二个栅极互为背栅，可分别控制Fin开启或关闭导电沟道，本发明利用具有独立双栅的FinFET器件的栅控特性，在一个FinFET器件里面构成两个MOS结构，实现STT-MRAM存储单元所需要的较小读电流和较大的写电流，可有效提高STT-MRAM的读写稳定性，并使器件的尺寸在相同的驱动电流条件下得到了进一步缩小。

主权项

一种STT‑MRAM存储单元，包括磁隧道结和选择晶体管，其特征在于，所述晶体管为鳍式场效晶体管，所述鳍式场效晶体管包括1个形成于衬底上的硅体鳍结构和相互独立的二个栅极，所述鳍的两端具有源、漏区，二个所述栅极分别位于所述源、漏区之间的所述鳍的两侧，二个所述栅极分别与所述鳍的所述源、漏区构成一个MOS器件，其中一个所述MOS器件的所述栅极连接所述STT‑MRAM存储单元的读字线端，另一个所述MOS器件的所述栅极连接所述STT‑MRAM存储单元的写字线端，所述鳍的漏区端连接所述磁隧道结的一端，所述鳍的源区端连接所述STT‑MRAM存储单元的地线，所述磁隧道结的另一端连接所述STT‑MRAM存储单元的位线；其中，二个所述MOS器件的所述栅极互为背栅，二个所述栅极可分别控制所述鳍开启或关闭导电沟道。