半导体元件及其制造方法

摘要

半导体元件及其制造方法。涉及一种包括接触着落垫的半导体元件以及一种制造该半导体元件的方法。具有侧壁的槽在半导体材料中形成，而电介质材料在槽的侧壁上形成。导电材料在侧壁上形成并填充槽。多层电介质结构在槽内的导电材料之上形成，其中多层电介质材料包括一类夹在不同类电介质材料之间的电介质材料，以使得中间层电介质材料的刻蚀率不同于外层电介质材料的刻蚀率。去除中间层电介质材料的部分，并以导电材料替换，该导电材料结合槽中的导电材料的部分，形成接触着落垫。

主权项

一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成至少一个槽，所述至少一个槽具有底和侧壁；在所述至少一个槽的底和侧壁上形成电介质材料层；在所述至少一个槽之上以及横向地邻近所述至少一个槽形成至少一个自对准着落垫，其中形成至少一个自对准着落垫的步骤包括：在所述主表面之上形成第一层电介质材料；在所述第一层电介质材料之上形成第二层电介质材料；在所述第二层电介质材料之上形成第三层电介质材料；且其中通过形成通过所述第一层电介质材料、所述第二层电介质材料和所述第三层电介质材料并进入所述半导体材料的开口而在所述半导体材料中形成至少一个槽；且还包括：去除所述第二层电介质材料的一部分，所述第二层电介质材料的该一部分由延伸通过所述第一层电介质材料、所述第二层电介质材料和所述第三层电介质材料的所述开口暴露，以形成横向地延伸进入所述第二层电介质材料的腔以及去除在所述至少一个槽的底上的电介质材料层；以及在所述至少一个槽内形成掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅与所述底接触并在横向地延伸进入所述第二层电介质材料的腔内。