| 发明名称 | 发光二极管磊晶结构 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。本发明的布拉格反射层能反射所述半导体结构层射向所述硅基板的光线，提高所述发光二极管磊晶的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102447026B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201010502906.5 | 申请日期 | 2010.10.11 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 叶小勤 |
| 主权项 | 一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层，所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上，所述布拉格反射层透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层，所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙，所述孔隙在所述硅基板的顶面上设置，所述孔隙位置具有一个阻隔层，所述阻隔层局部分布在所述磊晶连接层图型化的空隙间，使所述布拉格反射层与所述磊晶连接层维持其膜层的完整性。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||