发明名称 稀土离子Dy<sup>3+</sup>掺杂的Bi<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>12</sub>白光LED荧光粉材料及其制备方法
摘要 本发明提供一种稀土离子镝(Dy<sup>3+</sup>)掺杂的硅酸铋(Bi<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>12</sub>)白光LED荧光粉材料及其制备方法,所述荧光粉材料的制备过程包括:首先将构成硅酸铋的前驱体原料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中,搅拌、干燥后,先在空气气氛下400~800℃进行预烧,冷却后取出研磨,然后进行750-900℃煅烧;最后随炉冷却至室温。本发明的荧光粉在紫外光(波长270nm)激发下发射白光,系属硅酸铋的本征蓝光和Dy<sup>3+</sup>特征蓝光和黄光叠加而成,发射峰位分别位于460nm,485nm和575nm,色坐标位于白光区域。本发明的荧光粉材料可满足白光LED照明领域的应用要求。
申请公布号 CN102899043B 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201210312795.0 申请日期 2012.08.29
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 刘茜;魏钦华;刘光辉;周真真
分类号 C09K11/74(2006.01)I 主分类号 C09K11/74(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭辉
主权项 一种稀土离子Dy<sup>3+</sup>掺杂的Bi<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>12</sub>白光LED荧光粉材料,所述荧光粉材料是掺杂稀土Dy<sup>3+</sup>离子的硅酸铋(Bi<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>12</sub>)基材料。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号