具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片

摘要

一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括块状衬底；在该块状衬底上形成的下绝缘层；在该下绝缘层上形成的导电背栅层；在该背栅层上形成的上绝缘层；以及在该上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，该混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分。

主权项

一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：块状衬底；在所述块状衬底上形成的下绝缘层；在所述下绝缘层上形成的导电背栅层；在所述背栅层上形成的上绝缘层；在所述上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，所述混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分；穿过所述混合绝缘体上半导体层形成的多个浅有源区层级浅沟槽隔离STI凹陷；以及穿过所述上绝缘层和所述背栅层形成的一个或者多个深背栅层级STI凹陷，所述一个或者多个深背栅层级STI凹陷的多个部分自对准到一个或者多个所述浅有源区层级STI凹陷的多个部分；其中所述浅有源区层级STI凹陷和所述一个或者多个自对准深背栅层级STI凹陷填充有一种或多种绝缘材料。