发明名称 | 复合压电基板的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括:a)准备压电体基板和支撑基板;b)从压电体基板的表面注入离子,在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层;c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个,去除附着在表面(2a、10a)中的杂质,使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化;d)在压电体基板的表面上接合支撑基板,形成基板接合体;e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体,从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层,形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30);f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。 | ||
申请公布号 | CN102569640B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
申请号 | CN201210012692.2 | 申请日期 | 2008.10.23 |
申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 神藤始;芳井义治 |
分类号 | H01L41/27(2013.01)I | 主分类号 | H01L41/27(2013.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
主权项 | 一种复合压电基板的制造方法,包括:第1工序,准备压电体基板和支撑基板;第2工序,从上述压电体基板的表面注入离子,在上述压电体基板内在距离上述表面规定深度的区域中形成缺陷层;第3工序,在上述压电体基板的上述表面上接合上述支撑基板,形成基板接合体;第4工序,由形成于上述压电体基板内的上述缺陷层来分离上述基板接合体,从上述压电体基板剥离上述压电体基板的上述表面和上述缺陷层之间的剥离层,形成与上述支撑基板相接合的复合压电基板;以及第5工序,对上述复合压电基板的上述剥离层的表面进行平滑化,在上述第2工序之后且在上述第3工序之前或其之后,还包括极化处理工序,该极化处理工序通过施加电场来对上述复合压电基板的上述剥离层进行极化处理,该极化处理对因通过离子注入导致极化的极性反转而部分地产生的压电性的恶化进行修复。 | ||
地址 | 日本京都府 |