环形垂直结构相变存储器的制备方法

摘要

一种环形垂直结构相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次淀积第一电热绝缘材料层和下电极材料层；在下电极材料层上淀积第二电热绝缘材料层，在下电极材料层上开孔；在第二电热绝缘材料层上依次淀积插塞电极材料层和第三电热绝缘材料层；在第三电热绝缘材料层上形成圆柱形的电热绝缘材料层掩模；干法刻蚀插塞电极材料层至第二电热绝缘材料层上表面；在其上依次淀积第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层；形成第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层构成的侧墙；在第二电热绝缘材料层的上表面、侧墙的外表面以及电热绝缘材料层掩模的上表面，制备上电极材料层；在下电极材料层上引出下测试电极，在上电极材料层上引出上测试电极，完成器件的制备。

主权项

一种环形垂直结构相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上依次淀积抗腐蚀的第一电热绝缘材料层和下电极材料层；步骤2：在下电极材料层上，淀积第二电热绝缘材料层，并光刻，在下电极材料层上开孔；步骤3：在第二电热绝缘材料层上，依次淀积插塞电极材料层和第三电热绝缘材料层，该插塞电极材料层覆盖下电极材料层上的开孔；步骤4：在第三电热绝缘材料层上，光刻、刻蚀，形成圆柱形的电热绝缘材料层掩模；电热绝缘材料层掩模的直径大于第二电热绝缘材料层的开孔的直径；步骤5：通过电热绝缘材料层掩模，干法刻蚀插塞电极材料层至第二电热绝缘材料层上表面；步骤6：采用光刻、淀积的方法，在第二电热绝缘材料层的上表面、电热绝缘材料层掩模和插塞电极材料层的外表面，依次淀积第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层；步骤7：干法回刻，形成第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层构成的侧墙；步骤8：光刻、剥离，在第二电热绝缘材料层的上表面、侧墙的外表面以及电热绝缘材料层掩模的上表面，制备上电极材料层；步骤9：钝化，在下电极材料层上引出下测试电极，在上电极材料层上引出上测试电极，完成器件的制备。