发明名称 一种原位自生高体积分数Mg<sub>2</sub>Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种原位自生Mg<sub>2</sub>Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法,属于复合材料制备领域。该方法适用于成分为Mg-9Al-xSi(2<x<10,x为质量分数)的镁合金,其Mg<sub>2</sub>Si体积分数为8%-35%,制备方法具体为:先将纯镁、纯铝和纯硅粉按成分配比放入石墨坩埚中,在氩气保护下采用高频感应加热熔炼获得母合金锭,再将母合金锭重熔至一定温度保温一段时间之后,在脉冲磁场作用下凝固而获得原位自生Mg<sub>2</sub>Si增强Mg-Al基复合材料。与现有的普通铸造原位自生Mg<sub>2</sub>Si增强Mg-Al基复合材料方法相比,本发明提供的制备方法可获得颗粒状初生Mg<sub>2</sub>Si增强相,尺寸更小且分布均匀,并且该制备方法具有工艺简单、无污染、能耗和成本低等优点,适用于具有高体积分数Mg<sub>2</sub>Si增强相的Mg-Al基复合材料。
申请公布号 CN104131190A 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201410414061.2 申请日期 2014.08.21
申请人 南昌航空大学 发明人 尹健;马修军;周志坚;尧军平
分类号 C22C1/03(2006.01)I;C22C23/02(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I 主分类号 C22C1/03(2006.01)I
代理机构 南昌洪达专利事务所 36111 代理人 刘凌峰
主权项 一种原位自生Mg<sub>2</sub>Si增强Mg‑Al基复合材料的制备方法,应用合金成分范围为Mg‑9Al‑xSi(2<x<10),其中铝和硅含量都为质量分数,同时包括如下步骤:第一步,按照Mg‑9Al‑xSi(2<x<10)的比例准备镁、铝和硅粉原料;第二步,将第一步的原料放入石墨坩埚由高频感应加热熔炼,熔炼中,感应炉功率逐渐将高频感应加热电流由150安培增加至500安培,实现对原料的缓慢加热,直至熔化,得到母合金锭;第三步,将上述母合金锭放入石墨坩埚中,在电阻炉中重新加热至复合材料中基体全完熔化,并将温度升至一定温度保温 10 分钟;第四步,将第三步重新加热后并装有母合金的石墨坩埚置于脉冲磁场中,合金在脉冲磁场作用下凝固制得原位自生 Mg<sub>2</sub>Si 增强 Mg‑Al 基复合材料。
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