半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一层间介质层、第二层间介质层，以及贯穿上述层间介质层厚度的沟槽；对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理，分别形成第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层的宽度大于第二牺牲层宽度；形成第一牺牲层和第二牺牲层后，填充满所述沟槽形成金属线层；形成金属线层后，去除第一牺牲层和第二牺牲层形成开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。相应的，还提供了一种采用上述方法形成的半导体器件，RC效应低，半导体集成电路的性能好。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层表面形成有第二层间介质层，以及贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层厚度的沟槽，所述第一层间介质层和第二层间介质层的材料为含碳的低K介质材料，所述第一层间介质层中的碳的原子百分比含量为a％，所述第二层间介质层中的碳的原子百分比含量为b％，且a<b；对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行氧化处理或者通入氧气的等离子处理，分别形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层的宽度大于所述第二牺牲层宽度；形成第一牺牲层和第二牺牲层后，填充满所述沟槽形成金属线层；形成金属线层后，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层形成开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。