发明名称 发光二极体的制造方法
摘要 一种发光二极体的制造方法,包括如下步骤:提供第一电极、第二电极,在所述第一电极及第二电极的一侧表面分别形成第一挡墙及第二挡墙;提供基板,将所述第一电极、第二电极结合于所述基板上共同形成基座,所述基板间隔第一电极、第二电极,所述第一挡墙及第二挡墙间隔设置;在所述基座顶端表面上形成开设有收容杯的封装体,并使所述第一挡墙及第二挡墙外露于所述封装体的外侧面;提供发光晶片,将所述发光晶片电性连接至第一电极及第二电极;在所述封装体的收容杯内填充萤光粉形成覆盖发光晶片于收容杯底部的封装层,从而形成发光二极体。
申请公布号 TWI459599 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW101118621 申请日期 2012.05.25
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 林新强;陈滨全
分类号 H01L33/48;H01L33/50 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体的制造方法,包括如下步骤:提供第一电极、第二电极,在所述第一电极及第二电极的一侧表面分别形成第一挡墙及第二挡墙;提供基板,将所述第一电极、第二电极结合于所述基板上共同形成基座,所述第一电极、第二电极藉由所述基板相互间隔,所述第一挡墙及第二挡墙间隔设置;在所述基座顶端表面上形成开设有收容杯的封装体,并使所述第一挡墙及第二挡墙外露于所述封装体的外侧面;提供发光晶片,将所述发光晶片电性连接至第一电极及第二电极;在所述封装体的收容杯内填充萤光粉形成覆盖发光晶片于收容杯底部的封装层,从而形成发光二极体。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号