发明名称 去除光感显影底部抗反射层缺陷的方法
摘要 本发明公开了一种去除光感显影底部抗反射层PS-DBARC缺陷的方法,在光刻过程中,在涂覆了PS-DBARC步骤后,涂覆光刻胶层步骤之前,增加PS-DBARC进行预曝光的步骤。这个步骤可以弥补在后续曝光光刻胶层过程中对PS-DBARC曝光不足,而在后续PS-DBARC显影过程中产生残留及footing的现象,从而使得在PS-DBARC上形成的光刻图案不准确的问题。
申请公布号 CN102890402A 申请公布日期 2013.01.23
申请号 CN201110202687.3 申请日期 2011.07.19
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 舒强;顾一鸣
分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 牛峥;王丽琴
主权项 一种去除光感显影底部抗反射层PS‑DBARC缺陷的方法,该方法包括:在晶片的要刻蚀层涂覆PS‑DBARC后,对所述PS‑DBARC进行预曝光;在所述PS‑DBARC上涂覆光刻胶层后,进行曝光和显影,在光刻胶层和PS‑DBARC形成要刻蚀图案。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号