发明名称 电浆氧化处理方法
摘要 系于电浆处理装置之处理室内,以处理气体中之氧比例为20%以上、且400Pa以上及1333Pa以下之处理压力之条件,形成电浆,藉由前述电浆,氧化被处理体表面所露出之矽而形成矽氧化膜之电浆氧化处理方法。
申请公布号 TWI459468 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW096136365 申请日期 2007.09.28
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 小林岳志;北川淳一;壁义郎;盐泽俊彦
分类号 H01L21/316;H01L21/00 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电浆氧化处理方法,其特征为:含有将表面由矽所构成且表面具有凹凸形状之图案之被处理体搬入电浆处理装置之处理室内的步骤;和在前述处理室内,以处理气体中之氧比例为20%以上、且400Pa以上及1333Pa以下之处理压力之条件,形成电浆的步骤;和藉由前述电浆,氧化前述被处理体之表面之矽而形成矽氧化膜的步骤,前述处理压力系400Pa以上、667Pa以下,形成矽氧化膜时之被处理体之温度系200~800℃,使用含Ar的气体,以作为前述处理气体,前述被处理体之前述凹凸形状之图案形成有其凹凸为疏之领域和密之领域。
地址 日本