用以将气体团簇离子束照射至基板的处理系统及供应气体至其中的方法

摘要

一种利用气体团簇离子束(GCIB)来照射基板的处理系统。该系统包括用以形成、发射气体团簇束而使之穿过喷嘴出口的喷嘴，及位于喷嘴上游并与之相邻的滞留室。滞留室具有入口，喷嘴用以将单一气体团簇束指向基板。离子化器位于出口的下游，并用以离子化气体团簇束而形成GCIB。该系统亦包括气体供应部，其与滞留室入口有流体交流，且包括气体源及位于气体源与喷嘴之间的阀，该阀用以控制气体源与喷嘴间气体的流动。

主权项

一种处理系统，用以将气体团簇离子束(GCIB)照射至基板，该系统包含：第一喷嘴，用以经由滞留室及该第一喷嘴的出口形成、发射气体团簇束，该滞留室位于该第一喷嘴的上游并与该第一喷嘴相邻，且该滞留室具有入口，该第一喷嘴用以将气体团簇束指向该基板；离子化器，位于该出口的下游，且用以离子化该气体团簇束来形成该GCIB；第一气体供应部，与该滞留室的入口有流体交流，且包括第一气体源及第一阀，该第一阀介于该第一气体源与该第一喷嘴之间，并用以控制在该第一气体源与该第一喷嘴之间之第一气体的流动；及第二气体供应部，与该滞留室的入口有流体交流，且包括第二气体源及第二阀，该第二阀介于该第二气体源与该滞留室之间，并用以控制在该第二气体源与该第一喷嘴之间之第二气体的流动，其中，该第一、第二阀系设来定义介于该第一、第二阀与该滞留室的入口之间的共同气体容纳容积，该共同气体容纳容积小于2cm3，及其中，该第一、第二阀可启动来容许自该第一气体源之该第一气体或自该第二气体源之该第二气体的选择性供应。