发明名称 |
研磨钌及其它膜的CMP浆/方法 |
摘要 |
用于含贵重金属基材(例如含钌基材)的CMP处理之方法及关联组合物能同时提供该贵重金属的高除去速率及使贵重金属的除去速率可相对于其他膜的除去做调整。小量含有一或更多过氧官能基的氧化剂可与新颖的配位子一起使用以有效地抛光贵重金属基材。 |
申请公布号 |
TWI459456 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW100148680 |
申请日期 |
2011.12.26 |
申请人 |
气体产品及化学品股份公司 美国 |
发明人 |
史晓波 |
分类号 |
H01L21/304;C09K3/14 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2;林圣富 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2 |
主权项 |
一种将包含贵重金属之具有至少一特征的表面化学机械平坦化的方法,该方法包含下列步骤:A)使一基材与一抛光垫接触,该基材具有该包含贵重金属之具有至少一特征的表面;B)递送一具有硷性pH的抛光组合物,其包含:a)研磨剂;b)氰酸盐;及c)含有至少一过氧官能基的氧化剂;以及C)利用该组合物抛光该基材。 |
地址 |
美国 |