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经营范围
发明名称
半导体装置及半导体装置之制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
摘要
一种半导体装置具有一结构,且该结构包括一基材,形成在该基材之一主要平面之一部份上之一第一绝缘膜,形成在该第一绝缘膜之一表面上之一导电部份,及覆盖该基材之主要平面、该第一绝缘膜及该导电部份之一第二绝缘膜,且该第二绝缘膜之防潮性系比该第一绝缘膜之防潮性高。该第一绝缘膜系放在该基材与该导电部份之间以防止产生寄生电容。该第一绝缘膜被该第二绝缘膜覆盖,且该第二绝缘膜之防潮性系比该第一绝缘膜之防潮性高。该第二绝缘膜防止该第一绝缘膜吸收水分。
申请公布号
TW201442239
申请公布日期
2014.11.01
申请号
TW103104052
申请日期
2014.02.07
申请人
富士通股份有限公司
发明人
今纯一;中田义弘;牧山刚三
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/31(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name>
主权项
地址
日本
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