发明名称 半导体装置及半导体装置之制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
摘要 一种半导体装置具有一结构,且该结构包括一基材,形成在该基材之一主要平面之一部份上之一第一绝缘膜,形成在该第一绝缘膜之一表面上之一导电部份,及覆盖该基材之主要平面、该第一绝缘膜及该导电部份之一第二绝缘膜,且该第二绝缘膜之防潮性系比该第一绝缘膜之防潮性高。该第一绝缘膜系放在该基材与该导电部份之间以防止产生寄生电容。该第一绝缘膜被该第二绝缘膜覆盖,且该第二绝缘膜之防潮性系比该第一绝缘膜之防潮性高。该第二绝缘膜防止该第一绝缘膜吸收水分。
申请公布号 TW201442239 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103104052 申请日期 2014.02.07
申请人 富士通股份有限公司 发明人 今纯一;中田义弘;牧山刚三
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 <name>恽轶群</name><name>陈文郎</name>
主权项
地址 日本