发明名称 半导体积体电路装置及高频模组
摘要 提供可降低高次谐波变形或IMD之半导体积体电路装置及高频模组。;例如,针对于天线端子ANT及复数之信号端子Txa、Rxb、Rxc之间分别具备复数之电晶体Qa、Qb、Qc之所谓天线开关,配设电压供应电路VD_BK。电压供应电路VD_BK系从电压供应端子Vdd对前述复数信号端子Txa、Rxb、Rxc之中之至少2个信号端子(例如Rxb、Rxc)分别介由电阻元件Radd1、Radd2供应电压之电路。藉此,可以使因为漏电等而降低之天线电压Vant上昇,例如,可以使处于断开状态之电晶体Qb、Qc成为更深度之断开状态。
申请公布号 TWI459629 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW096120128 申请日期 2007.06.05
申请人 村田制作所股份有限公司 日本 发明人 中岛秋重;重野靖;小川贵史;高谷信一郎;长壁伸也;石川知之
分类号 H01P1/10;H04B1/00;H03K17/693 主分类号 H01P1/10
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体积体电路装置,其特征为具有:连结于天线之天线节点、包含第1电阻元件、第2电阻元件、被连结于前述第1电阻元件与前述第2电阻元件之电压供应节点的电压供应电路、包含供传送信号及接收信号之用的第1信号节点、供接收信号之用的第2共用信号节点、供传送信号之用的第3信号节点之复数之信号节点、包含分别被构成为三闸之2段连结构成的第1电晶体电路、第2电晶体电路以及第3电晶体电路之复数电晶体电路;前述第1电晶体电路,被连结于前述第1信号节点及前述天线节点之间,具有连结源极及汲极间的第1源极/汲极间电阻元件,进行前述第1信号节点及前述天线节点之间之连结/非连结之切换;前述第2电晶体电路,被连结于前述第2共用信号节点与前述天线节点之间,具有连结源极与汲极间的第2源极/汲极间电阻元件,进行前述第2共用信号节点与前述天线节点之间之连结/非连结之切换;前述第3电晶体电路,被连结于前述第3信号节点与前述天线节点之间,具有连结源极与汲极之间的第3源极/汲极间电阻元件,进行前述第3信号节点与前述天线节点之间的连结/非连结之切换;前述电压供应电路,被连接于前述第1信号节点与前述第2共用信号节点之间,前述第1信号节点,被连结于前述电压供应电路之前述第1电阻元件,前述第2共用信号节点,被连接于前述电压供给电路之前述第2电阻元件,前述电压供应电路,透过前述第1电阻元件往前述第1信号节点供应电压,透过前述第2电阻元件往前述第2共用信号节点供应电压,由前述第3信号节点传送时,前述第3电晶体电路被控制为导通状态,前述第1及第2电晶体电路被控制为断开状态;前述第1电阻元件及前述第1源极/汲极间电阻元件,与前述第2电阻元件及前述第2源极/汲极间电阻元件,系由前述电压供应电路的电压供应节点并联地被连结。
地址 日本