发明名称 透过接地表面设计之电浆制程蚀刻/沉积比调变;PLASMA PROCESS ETCH-TO-DEPOSITION RATIO MODULATION VIA GROUND SURFACE DESIGN
摘要 其中之放电电浆特性系透过改变电浆之接地路径而控制的电浆沉积可适用于任何电浆沉积环境,但在离子化物理气相沉积(iPVD)间隙填充之应用中特别有用。电浆通量的离子能量和E/D比可透过修改接地路径(接地表面之位置、形状及/或面积)加以控制。以此方式控制电浆之特性可减少或消除对于知昂贵且复杂的射频系统进行电浆控制之依赖程度。对于高密度电浆源而言,离子化分率和离子能量可高到以致于自溅射甚至可在不具有任何射频偏压之情况下发生。且不像射频诱导之溅射,自溅射具有窄离子能量分布,此提供进行积体化之更好的制程控制性及较大的制程容许度。
申请公布号 TW201442069 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW102140528 申请日期 2013.11.07
申请人 诺发系统有限公司 发明人 吴立其;可里伊许特克;邱华檀
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 <name>周良谋</name><name>周良吉</name>
主权项
地址 美国