发明名称 |
图案形成方法及光阻组成物 |
摘要 |
本发明的图案形成方法,其特征在于:将光阻组成物涂布在基板上,于加热处理后以高能量射线将光阻膜曝光,且在加热处理后使用利用有机溶剂之显影液使未曝光部溶解,得到曝光部不溶解之负型图案;该光阻组成物包含:具有含有与经取代或未经取代之羟甲基键结的氮原子之脲键、醯胺键、或胺甲酸酯键的化合物、具有羟基经酸不稳定基取代之重复单元的高分子化合物、酸产生剂、有机溶剂。;涉及本发明的光阻膜,有如下特征:在利用有机溶剂的显影之正负反转的图像形成中,未曝光部分之溶解性高、曝光部分之溶解性低、溶解对比高。 |
申请公布号 |
TWI459140 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW101130452 |
申请日期 |
2012.08.22 |
申请人 |
信越化学工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
旱田山润;片山和弘;小林知洋 |
分类号 |
G03F7/038;G03F7/32;H01L21/027;G03F1/32 |
主分类号 |
G03F7/038 |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
主权项 |
一种图案形成方法,其特征在于:将光阻组成物涂布在基板上,于加热处理后以高能量射线将光阻膜曝光,且在加热处理后使用利用有机溶剂之显影液使未曝光部溶解,得到曝光部不溶解之负型图案;该光阻组成物包含:具有含有与经取代或未经取代之羟甲基键结的氮原子之脲键、醯胺键、或胺甲酸酯键的化合物、具有羟基经酸不稳定基取代之重复单元的高分子化合物、酸产生剂、有机溶剂;该具有含有与经取代或未经取代之羟甲基键结的氮原子之脲键、醯胺键、或胺甲酸酯键的化合物系以下述通式(1)-1、(1)-2、或(1)-3表示;(式中,R1、R2、R5、R8为氢原子、碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基、或碳数1~10之直链状、分支状或环状的醯基,R3、R4为氢原子、碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~16的烯基、或-CH2-O-R11,R3与R4亦可各别键结而形成环,且该环亦可包含羰基、醚基、酯基、或-N(-CH2-O-R11)-;R6、R9为氢原子、碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数2~16的烯基,该等亦可具有羟基、烷氧基、醯氧基、氰基、卤原子、或硝基;R7、R10为氢原子、碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~16的烯基、或-CH2-O-R11,R6与R7、R9与R10亦可各别键结而形成环;R11为氢原子、或是相同或异种的碳数1~10之直链状、分支状或环状的烷基或醯基)。 |
地址 |
日本 |