发明名称 使用相互连接的三维层片将垂直封装的MOSFET和积体电路功率器件构建成集成模组
摘要 一种包括至少一个垂直堆叠在一个底部封装模组上的顶部封装模组的电子封装件,每个封装模组包括一个通过连接头和位于采用标准印刷电路板工艺制造的层压板上的连接头封装和连接的半导体晶片,其中,所述顶部和底部封装模组进一步构建成一个表面安装模组,以便方便地堆叠和安装到预先安排的电接触上,不必使用引线框架。至少有一个顶部和底部封装模组是包含至少两个半导体晶片的多晶片模组(MCM),至少有一个顶部和底部封装模组包括一个球栅阵列(BGA),以便表面安装到预先安排的电接触上,至少有一个顶部和底部封装模组包括在一个半导体晶片上的多个焊料凸块,以便表面安装到预先安排的电接触上。底部封装模组的层压板的热膨胀系数还进一步与印刷电路板(PCB)的热膨胀系数基本相同,从而使温度变化对表面安装到PCB上的影响不大。
申请公布号 TWI459512 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW095147535 申请日期 2006.12.18
申请人 万国半导体股份有限公司 百慕达 发明人 孙明;何约瑟
分类号 H01L23/28;H01L25/10 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 一种连接至少一个垂直堆叠在底部封装模组上的顶部封装模组的电子封装件,该顶部封装模组和底部封装模组分别至少包含一个顶部半导体晶片和一个底部半导体晶片,其特征在于,该电子封装件还包括:一个顶部层压板和一个底部层压板,所述顶部层压板和底部层压板均具有贯穿层压板的连接头和分布在与某些选定的连接头连接的层压板多层上的导电接触线,并且所述顶部层压板和底部层压板均包含有覆盖在层压板底面的图案化的铜板;所述顶部半导体晶片和底部半导体晶片均设置有一个位于半导体晶片底面的电极,顶部半导体晶片底面的电极焊接至设置于顶部层压板底面的铜板上,底部半导体晶片底面的电极焊接至设置于底部层压板底面的铜板上,并且底部层压板的顶面还设置有与顶部封装模组电极区域相适配的电接触衬垫以刚好表面安装所述顶部封装模组至所述底部层压板上;所述顶部封装模组进一步包含第一球闸阵列BGA,第一球闸阵列BGA所包含的焊球贯穿顶部层压板底面的焊接掩模从而与顶部半导体晶片底面的电极连接,第一球闸阵列BGA所包含的焊球从顶部封装模组的顶部层压板的底面向下延伸直至接触设置于底部层压板顶面的电接触衬垫并就此形成底部封装模组和顶部封装模组的垂直堆叠,并且底部封装模组的底部半导体晶片包含的焊料凸块从底部半导体晶片表面上的电极向下延伸至与底部封装模组的第二球闸阵列BGA所包含的焊球的水准平面基本相同,以便方便地直接安装到位于印刷电路板PCB上的接头上。
地址 百慕达