画素结构及其制作方法

摘要

一种画素结构，包括一基板、一扫描线、一闸极、一绝缘层、一半导体通道、一资料线、一源极、一汲极、一保护层、一画素电极以及一连接电极。绝缘层设置于扫描线、闸极与基板上，对应闸极的半导体通道以及资料线设置于绝缘层上，其中资料线与扫描线未重叠。源极与汲极设置于半导体通道上。设置于源极、汲极与资料线上的保护层具有一第一接触洞部分暴露出汲极，以及复数个第二接触洞部分暴露出资料线或扫描线。设置于保护层上的画素电极经由第一接触洞与汲极电性连接，而设置于保护层上的连接电极则经由第二接触洞与资料线或扫描线电性连接。

主权项

一种制作画素结构之方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一扫描线以及一闸极；于该基板、该扫描线与该闸极上依序形成一绝缘层与一半导体层；于该半导体层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一图案化光阻层，其中该第一图案化光阻层具有一平坦之顶面；去除未被该第一图案化光阻层覆盖之该金属层，以形成一电极图案以及一资料线，以及去除未被该第一图案化光阻层覆盖之该半导体层，以形成一半导体通道，其中该资料线与该扫描线未重叠；对该第一图案化光阻层进行一灰化(ashing)制程，以缩减该第一图案化光阻层之厚度，完全移除位于该闸极正上方的该第一图案化光阻层，形成一第二图案化光阻层，其中该第二图案化光阻层部分暴露出该电极图案，且该第二图案化光阻层之一顶面与该电极图案之一顶面为共平面(coplanar)；去除未被该第二图案化光阻层覆盖之该电极图案以形成一源极与一汲极；去除该第二图案化光阻层；于该源极、该汲极与该资料线上形成至少一保护层，其中该保护层具有一第一接触洞部分暴露出该汲极，以及复数个第二接触洞部分暴露出该资料线或该扫描线；以及于该保护层上形成一图案化透明导电层，其中该图案化透明导电层包括一画素电极经由该第一接触洞与该汲极电性连接，以及一连接电极经由该等第二接触洞与该资料线或该扫描线电性连接。