发明名称 光阻组成物及光阻图型之形成方法;RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
摘要 [课题]提供一种可维持良好之感度,且可形成具有低粗糙度的光阻图型光阻组成物。[解决手段]一种光阻组成物,其为含有具有通式(a0-1)所表示之结构单位(a0)的高分子化合物,与经由曝光而产生酸之酸产生剂成份(B),与经由曝光而分解而失去酸扩散控制性之光崩坏性硷(D1)之组成物,其特征为,该(B)成份与该(D1)成份之混合比例,以(D1)/(B)所表示之莫耳比为0.5以上。式(a0-1)中,R为氢原子、碳数1~5之烷基或碳数1~5之卤化烷基。Ya01为单键或2价之键结基。X01为硫原子或氧原子。Ra01为可具有取代基之环式基、链状烷基或链状烯基。
申请公布号 TW201441762 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103110302 申请日期 2014.03.19
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 中村刚;丹野一石;本池直人;小室嘉崇;平野智之;新井雅俊
分类号 G03F7/004(2006.01);C08F20/54(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/004(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 日本