ＮおよびＰ供与体を有する配位子を含む錯体化合物ならびにオプトエレクトロニクス分野におけるその使用

摘要

本発明は、式（Ｉ）のＮおよびＰ供与体を有する配位子を少なくとも１つ含む金属錯体化合物を含有する電子デバイスに関し、ここで、炭素原子Ｃ1およびＣ2は芳香族または非芳香族環系Ｆ1の一部であり、ＰおよびＮはリンおよび窒素（式中、窒素はｓｐ2混成の形態で存在する）であり、ラジカルＲ3およびＲ4は、互いに独立に、水素、または４０個までのＣ原子を有する、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アルキルシクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアルキルシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルもしくはヘテロアラルキルラジカルであり、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立に、水素、ハロゲン、Ｒ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＮＨ−、Ｒ2Ｎ−、ＲＣＯＮＲ−および−Ｓｉ（Ｒ）X（ＯＲ）3-Xを含む群からの原子またはラジカル（ここで、Ｒ＝４０個までのＣ原子を有する、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アルキルシクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアルキルシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルまたはヘテロアラルキルラジカル、Ｘ＝１、２または３）である。さらに、本発明は、このような電子デバイスを製造するための方法、ならびにこのような金属錯体化合物を使用して光および／または青色発光を生成するための方法に関する。【化１】