LATERALES LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUMHERSTELLEN EINES LATERALEN LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTS

摘要

Ein laterales Leistungshalbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper (110) mit einer ersten Oberfläche (111) und einer der ersten Oberfläche (111) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (212). Eine erste Hauptelektrode (131) umfasst zumindest zwei Abschnitte (131a, 131b), die auf der ersten Oberfläche (111) angeordnet sind. Eine zweite Hauptelektrode (132) ist auf der ersten Oberfläche (111) und zwischen den zwei Abschnitten (131a, 131b) der ersten Hauptelektrode (131) angeordnet. Eine Vielzahl von schaltbaren Halbleiterzellen ist jeweils zwischen einem von zwei Abschnitten (131a, 131b) der ersten Hauptelektrode (131) und der zweiten Hauptelektrode (131) angeordnet und konfiguriert, um einen steuerbaren leitfähigen Pfad zwischen der ersten Hauptelektrode (131) und der zweiten Hauptelektrode (132) bereitzustellen. Zumindest ein gekrümmter Halbleiterabschnitt (122) ist zwischen der ersten Hauptelektrode (131) und der zweiten Hauptelektrode (132) angeordnet, wobei die Dotierungskonzentration von der ersten Hauptelektrode (131) zur zweiten Hauptelektrode (132) hin zunimmt.