| 摘要 |
基板（２）、並びに、ＳｉＯ２の層（Ａ）及び前記基板（２）と前記ＳｉＯ２の層（Ａ）との間に位置するＳｉＯｘＮｙＨｚタイプの材料の層（Ｂ）の第１の積層体、を含む多層構造体であって、前記ＳｉＯ２の層（Ａ）の厚さが６０ｎｍ以下であり、前記ＳｉＯｘＮｙＨｚタイプの材料の層（Ｂ）の厚さ（ｅＢ）が前記ＳｉＯ２の層（Ａ）の厚さ（ｅＡ）の２倍を超え、前記ＳｉＯ２の層（Ａ）及び前記ＳｉＯｘＮｙＨｚタイプの材料の層（Ｂ）の厚さの合計が１００ｎｍから５００ｎｍの間にあるように、前記ＳｉＯ２の層（Ａ）及び前記ＳｉＯｘＮｙＨｚタイプの材料の層（Ｂ）が厚さ（ｅＢ、ｅＡ）を有し、ｚは、真に（ｘ＋ｙ）／５の比未満であり、有利には、ｚは、真に（ｘ＋ｙ）／１０の比未満である、多層構造体。 |
