| 摘要 |
Ein Verfahren zum Herstellen eines IGBTs wird bereitgestellt. Der IGBT hat einen Emitterbereich des n-Typs, einen oberen Körperbereich des p-Typs, einen Zwischenbereich des n-Typs, einen unteren Körperbereich des p-Typs, einen Driftbereich des n-Typs, einen Kollektorbereichs des p-Typs, eine Vielzahl von Gräben, die den Emitterbereich, den oberen Körperbereich, den Zwischenbereich und den unteren Körperbereich von einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats durchdringen und den Driftbereich erreichen, und Gateelektroden, die in den Gräben gebildet sind. Das Herstellverfahren enthält Bilden der Gräben auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats, Bilden der Isolationsschicht in den Gräben, Bilden einer Elektrodenschicht auf dem Halbleitersubstrat und in den Gräben nach dem Bilden der Isolationsschicht, Planmachen einer oberen Oberfläche der Elektrodenschicht, und Implantieren von n-Typ Verunreinigungen in eine Tiefe des Zwischenbereichs von einer Seite der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats nach dem Planmachen der oberen Oberfläche der Elektrodenschicht. |
