| 发明名称 | 光感测设备、光传感器以及显示设备 | ||
| 摘要 | 公开了一种光感测设备，包括：光电转换半导体薄膜；用于欧姆接触的薄膜，设置在所述光电转换半导体薄膜的一面上以形成入射光窗口；第一和第二欧姆电极，安装在所述用于欧姆接触的薄膜上；连接布线，用于对所述第一和第二欧姆电极进行短路；绝缘膜，设置在所述光电转换半导体薄膜的另一面上；以及第一电极，设置在所述绝缘膜的不接触所述光电转换半导体薄膜的一面上。 | ||
| 申请公布号 | CN102099931B | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN200980110456.0 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 山口育弘 |
| 分类号 | H01L31/113(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;夏青 |
| 主权项 | 一种光感测设备，包括：光电转换半导体薄膜，用于欧姆接触的薄膜，设置在所述光电转换半导体薄膜的一面上以形成入射光窗口，第一和第二欧姆电极，设置在所述用于欧姆接触的薄膜上，连接布线，用于对所述第一和第二欧姆电极进行短路，绝缘膜，设置在所述光电转换半导体薄膜的另一面上，以及第一电极，设置在所述绝缘膜的不接触所述光电转换半导体薄膜的一面上，其中所述光电转换半导体薄膜的所述一面和用于欧姆接触的所述薄膜具有第一导电类型。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||